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半導(dǎo)體分立器件測(cè)試#晶體管直流參數(shù)測(cè)試
內(nèi)容簡介 半導(dǎo)體靜態(tài)/動(dòng)態(tài)測(cè)試,半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備可針對(duì),光耦測(cè)試,功率循環(huán)測(cè)試
半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備可針對(duì)Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC可進(jìn)行高精度靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（導(dǎo)通、關(guān)斷、擊穿、漏電、增益等直流參數(shù)）測(cè)試精度可達(dá)16位ADC；動(dòng)態(tài)雙脈沖（包括Turn_ON_L/Turn_OFF_L/FRD/Qg）及Rg/UIS/SC/C/RBSOA測(cè)試等；環(huán)境老化測(cè)試（包括HTRB/HTGB/H3TRB/Surge/間歇壽命等
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