南通氮化硅,氮化硅毛坯<br>

這種Si3N4纖維純度很高,直徑10μm,密度2.39g/c m3,拉伸強(qiáng)度2.5GPa,拉伸模量300GPa,且具有良好的耐高溫性與抗氧化性,適用于制備陶瓷基復(fù)合陶瓷材料<br>

碳化硅的硬度很大，具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能，是一種半導(dǎo)體，高溫時(shí)能抗氧化
1285攝式度時(shí)與二氮化二鈣反應(yīng)生成二氮硅化鈣，600度時(shí)使過(guò)渡金屬還原，放出氮氧化物，抗彎強(qiáng)度為147MPa<br>
比熱容為0.71J/(g·K)，生成熱為-751.57kJ/mol<br>
氮化硅陶瓷表面經(jīng)拋光后，有金屬光澤<br>

在相同的溫差條件下，碳化硅材料的尺度變化要小得多，相應(yīng)材料內(nèi)部產(chǎn)生的熱應(yīng)力就小，從而使材料體現(xiàn)出較強(qiáng)的抵抗熱負(fù)荷的能力圖2給出氧化鋁和碳化硅兩種多孔材料的熱膨脹系數(shù)與溫度的關(guān)系，在溫度為30～1000℃范圍內(nèi)，多孔氧 化鋁和碳化硅的熱膨脹系數(shù)分別為7.03×10－6 /K與 1.14×10－6/K，多孔碳化硅的熱膨脹系數(shù)僅為氧化鋁的16%，表明碳化硅材料的抗熱震性能較氧化鋁<br>

屬高溫難溶化合物，無(wú)熔點(diǎn)，抗高溫蠕變能力強(qiáng)，不含粘結(jié)劑的反應(yīng)燒結(jié)氮化硅負(fù)荷軟化點(diǎn)在1800℃以上<br>

氮化硅陶瓷可做高溫絕緣材料，其性能指標(biāo)的優(yōu)劣主要取決于合成方式與純度，材料內(nèi)未被氮化的游離硅，在制備中帶入的堿金屬、堿土金屬、鐵、鈦、鎳等雜志，均可惡化氮化硅陶瓷的電性能，一般氮化硅陶瓷在室溫下、在干燥介質(zhì)中的比電阻為1015～1016歐姆，介電常數(shù)是9.4～9.5，在高溫下，氮化硅陶瓷仍保持較高的比電阻值，隨著工藝條件的提高，氮化硅可以進(jìn)入常用電介質(zhì)行列<br>

該方法的關(guān)鍵在于利用一個(gè) 簡(jiǎn)單的粘結(jié)試驗(yàn)，在一個(gè)常規(guī)拉伸試樣的涂層 基體界面上制造一個(gè)軸對(duì)稱（或稱為硬幣狀）裂紋，兩端 受拉應(yīng)力見(jiàn)圖 2在試驗(yàn)中可以測(cè)量到一個(gè)臨界剝 離力，從而可以得到臨界名義法向應(yīng)力該方法需 要利用有限元程序?qū)β癫赜诮缑嫔系牧鸭y進(jìn)行數(shù)值 分析，認(rèn)為涂層模型是無(wú)缺陷的，界面上人工做出的 裂紋受遠(yuǎn)場(chǎng)單軸拉力<br>
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